شماره ركورد كنفرانس
3737
عنوان مقاله
افزايش سرعت عملكردترانزيستورهاي اثر ميدان مبتني بر نانو نوار كربن با فرم ZAZ
پديدآورندگان
باقري فرزاد Farzad.baghrei.mnu@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد ميانه , محمدي جمشيد ma_jamshid@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد ميانه , سيروس نژاد فرهاد farhad.swf@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد ميانه
تعداد صفحه
5
كليدواژه
ترانزيستور , نانو نوار , گرافن , سوئيچ
سال انتشار
1396
عنوان كنفرانس
اولين همايش ملي نوآوري هاي كاربردي در علوم مهندسي برق
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين مقاله با استفاده از نرم افزار ATK به شبيه سازي و بررسي ترانزيستور¬هاي Ambipolar اثر ميدان نانو نوار گرافني با فرم ZAZ مي ¬پردازيم. تاثير پارامترهاي مختلف ساختار نانو نوار گرافني بر مشخصات ترانزيستور Ambipolar بررسي مي شود. نسبت جريان روشن به خاموش (Ion/Ioff) ترانزيستور يكي از كاربرد هاي مهم در سوئيچ كردن است. بنابراين در اين پايان نامه روش هاي مختلف بهبود نسبت Ion/Ioff را بررسي مي كنيم.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک