شماره ركورد كنفرانس :
3737
عنوان مقاله :
طراحي يك مدار نمونه بردار و نگهدارنده با سرعت بالا با استفاده از اثر تعويض زير لايه تضعيف شده سوئيچ T
پديدآورندگان :
مختاري مهرداد mehrdadmokhtari6969@gmail.com گروه برق، دانشكده فني و مهندسي، واحد ميانه، دانشگاه آزاد اسلامي، ميانه، ايران , محمدي جمشيد ma-jamshid@yahoo.com دانشكده فني و مهندسي، واحد ميانه، دانشگاه آزاد اسلامي، ميانه، ايران , نعمتي عباس nemati_abbas@yahoo.com - دانشكده فني و مهندسي، واحد ميانه، دانشگاه آزاد اسلامي، ميانه، ايران.
كليدواژه :
فرايند CMOS استاندارد , نسبت سيگنال نويز و اعوجاج (SNADR) , دامنه ديناميكي آزاد اسپرس (SFDR)
عنوان كنفرانس :
اولين همايش ملي نوآوري هاي كاربردي در علوم مهندسي برق
چكيده فارسي :
يك تكنيك مدار براي طراحي يك مدار نمونه و نگهدارنده با سرعت بالا پيشنهاد شده است.يك اثر تعويض زير لايه تضعيف شده سوئيچ T در حالت نگهدارنده مدار نمونه و نگهدارنده استفاده مي شود ، ساختار نوع T باعث مي شود كه اثر تغذيه سيگنال وابسته به ورودي ناديده گرفته شود ، و يك عملكرد خطي بالا مي تواند مطمئن باشد.بر اساس SMIC 0.13، فرايند CMOS استاندارد، يك مدار نمونه و نگهداري قابل استفاده براي 12 بيتي، 100 مگا هرتز ADC خط لوله طراحي شده است. نتايج شبيه سازي Specter نشان مي دهد كه استفاده از اين تكنيك مي تواند عملكرد ديناميكي و نسبت سيگنال نويز و اعوجاج (SNADR) و دامنه ديناميكي آزاد اسپرس (SFDR) مدار نمونه و نگهداري به ترتيب 85.5 و 92.87 دسي بل را تحت فركانس ورودي Nyquist بهبود بخشد
