يك سنسور ميدان مغناطيسي جهت¬دار تشديدي ميكروالكترومكانيكي

در اين مقاله يك ميكروسنسور ميدان مغناطيسي تشديديبا قابليت تشخيص جهت ميدان مغناطيسي مبتني بر فناوري سيستم¬هاي ميكروالكترومكانيكي با مكانيسم خروجي پيزوالكتريك طراحي و شبيه¬سازي شده است. ميكرو‌سنسور پيشنهادي داراي مزاياي منحصربه فرد قابليت تشخيص جهت ميدان مغناطيسي و عدم مصرف توان الكتريكي در قسمت حسگري ميكرو‌سنسور مي¬باشد. ساختار ميكروسنسور شامل يك سازه تشديدي متقارنبه صورت حلقه مربعي شكل به ابعاد mµ450 × mµ 450 با باريكه¬هايي به ضخامت mµ 2 است. عملكرد ميكروسنسور با استفاده از سه ماده متفاوت شامل سيليكون و ژرمانيوم و GaAs مورد بررسي قرار گرفته است. ساختار از جنس سيليكون داراي فركانس تشديد kHz 061/23، حساسيت V/T 165/11.222 و V/T 482/7 و V/T 7411/3 به¬ترتيب براي جريان¬هاي Irms برابر با mA30 و mA20 و mA‌10 بوده و ساختار از جنس ژرمانيوم داراي فركانس تشديد kHz 199/15، حساسيت V/T 019/12 و V/T 013/8 و V/T 006/4 به¬ترتيب براي جريان¬هاي Irms برابر با mA30 و mA20 و mA‌10 مي¬باشد. همچنين براي سازه طراحي¬شده از جنس GaAs فركانس تشديد برابر با kHz 432/14 بوده و حساسيت آن V/T 518/12 و V/T 345/8 و V/T 173/4 به¬ترتيب براي جريان¬هاي Irms برابر با mA30 و mA20 و mA‌10 به¬دست آمده است. ‌شبيه¬سازي ميكروسنسور پيشنهادي با بهره¬گيري از نرم¬افزار COMSOL Multiphysicsانجام شده است.