شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
P148. نانونوارهاي زيگزاگي سيليسن در حضور ميدان‌هاي الكتريكي و مغناطيسي خارجي
عنوان به زبان ديگر :
Zigzag silicene nanoribbons in the presence of external magnetic and electric fields
پديدآورندگان :
مظهري موسوي فاطمه monamazhari63@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه كاشان؛ , فرقدان روح اله rfarghadan@kashanu.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه كاشان؛
كليدواژه :
نانونوارهاي زيگزاگي سيليسن , برهمكنش اسپين مدار ذاتي , ميدان‌هاي الكتريكي و مغناطيسي خارجي , نيمه‌رساناي مغناطيسي دو قطبي , Zigzag silicene nanoribbons , intrinsic spin-orbit interaction , external magnetic and electric fields , bipolar magnetic semiconductor , 70
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين پژوهش به بررسي خواص الكتروني نانونوارهاي زيگزاگي سيليسن در حضور ميدان‌هاي الكتريكي عمود و مغناطيسي تبادلي پرداخته‌ايم. اين شبيه‌سازي با توجه به مدل تنگ‌بست تك نواري در حضور برهمكنش اسپين مدار ذاتي انجام شده است. نتايج نشان مي‌دهند كه ميدان الكتريكي يك گاف انرژي ايجاد مي‌كند و ميدان مغناطيسي، تقارن واروني وابسته به اسپين را مي‌شكند. همچنين با تغيير اندازه‌هاي ميدان الكتريكي و مغناطيسي در حد (elEz =Mz landa) يك نيمه‌رساناي مغناطيسي دو قطبي در نانونوارهاي زيگزاگي سيليسن در حضور برهمكنش اسپين مدار ذاتي خواهيم داشت. با توجه به نتايج به دست آمده، گاف‌هاي انرژي وابسته به اسپين مربوط به نيمه‌رساناي مغناطيسي دوقطبي با تغيير ميدان‌هاي خارجي به شدت تغيير مي‌كنند.
چكيده لاتين :
In this research we studied the electron properties of the zigzag silicene nanoribbons (ZSiNR) in the presence of the electric and magnetic fields. This simulation has been done using the singleband tight-binding approximation in the presence of the intrinsic spin-orbit interaction. Our results show that the electric field induces a gap energy while the magnetic field breaks the spin-inverse symmetry. Also, by variation of electric and exchange magnetic field strengths about (elEz =Mz landa) in the presence of the intrinsic spin-orbit interaction in the ZSiNR, we find a bipolar magnetic semiconductor. The results show that the variation of electric and exchange magnetic field strengths could change the value of spin-flip gap in the bipolar magnetic semiconductor.
