P162. ويژگيهاي الكتروني و اپتيكي فازهاي بلوري 2 AgGaO بر پايه‌ي تقريب‌هاي بس‌ذره‌اي

Electronic and optical properties of AgGaO2 polymorphs in many-body approaches

در چارچوب نظريه‌ي اختلال بس‌ذره‌اي و بر اساس روش FPLAPW، ويژگي‌هاي الكتروني و اپتيكي تركيب 2AgGaO در ساختارهاي بلوري لوزي‌گون، شش‌گوشي و راستگوشه بررسي و مقايسه شد. محاسبات GW نشان داد كه اين تركيب در هر سه فاز، نيم‌رسانايي با گاف نواري غيرمستقيم به‌ترتيب با مقادير 349/2، 231/2 و eV 065/2 است. با تمركز بر اثرات اكسيتوني، با حل معادله حركت تابع گرين دو‌ذره‌اي، BSE، ويژگيهاي اپتيكي بلور 2AgGaO مطالعه شد. اگرچه ساختارهاي اكسيتوني واقع در انرژي‌هاي كمتر، براي هرسه فاز در عنصر z-قطبيده‌ي تابع دي‌الكتريك قرار دارند، هر سه فاز ويژگيهاي متفاوتي در طيفهاي اپتيكي در ناحيه نزديك به گاف نواري از خود نشان مي‌دهند. در اين مطالعه يك مقايسه بين طيفهاي اپتيكي ناشي از حل كامل BSE و روش تقريب فاز كاتوره‌اي انجام شده است.

In the frame of many-body perturbation theory and on the basis of the FPLAPW method, electronic and optical properties of AgGaO2 in rhombohedral, hexagonal and orthorhombic structures have been calculated and compared. The GW calculations show that this compound in its three phases is an indirect band gap semiconductor with the band gaps of 2.349, 2.231 and 2.065 eV, respectively. Focusing on the excitonic effects, by solving the equation of motion of the two-particle Green’s function, BSE, optical properties of crystalline AgGaO2 were studied. Although for all three phases the excitonic structures occurred at lower energies belong to the z-polarized response, these phases show distinctive optical spectra near their band gaps. In this study, a comparison has been made between the optical spectra in full BSE and RPA methods.