شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
P173. تأثير بسامد و ولتاژ انباشت بر روي خواص مغناطيسي نانوسيم Fe84P16
عنوان به زبان ديگر :
Influence of deposit frequency and voltage on magnetic properties of Fe84P16 nanowire
پديدآورندگان :
كاكاوندي طيبه t.kakavandi95@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه كردستان؛ , عالمي پور زهرا Z.alemipour@uok.ac.ir گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه كردستان؛ , آستين چپ بندر Astinchap@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه كردستان؛
كليدواژه :
نانوسيم , الكتروانباشت , ميدان وادارندگي ,
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
نانوسيم‌‌‌هاي آلياژي16P84Fe در قالب اكسيد آندي آلومينيوم با روش الكتروانباشت تحت جريان متناوب ساخته شدند. اثر بسامد، ولتاژ انباشت و تابكاري بر روي خواص مغناطيسي نانوسيمها مطالعه شد. نتايج مربوط به بسامد نشان مي‌دهد كه بيش‌ترين مقدار ميدان وادارندگي( 1149 اورستد) براي نمونه انباشت شده با بسامد200هرتز به‌دست آمد. با تغيير ولتاژ انباشت تغيير محسوسي روي ميدان وادارندگي مشاهده نشد. اما با انجام عمليات تابكاري ميدان وادارندگي نانوسيمها در ولتاژ30 از مقدار 837 اورستد در دماي اتاق به1440 اورستد در دماي 600 درجه سانتي‌گراد رسيد. خواص مغناطيسي نمونه‌ها توسط مغناطو‌سنج نيروي گراديان متناوب (AGFM) و همچنين ساختار بلوري نمونه‌ها توسط دستگاه طيف‌سنج پراش اشعه(XRD) بررسي شد.
چكيده لاتين :
The Fe84P16 nanowire were fabricated by AC electrodeposition into anodic aluminium oxide templates. The results show that, the maximum value of Hc (1149Oe) was obtained for the sample deposited with 200Hz frequency. The Hc was not change with changing voltage. But after annealing the Hc of nanowire change from 837Oe at room temperature to 1440Oe at 600○C. Their magnetic properties were investigated using alternating gradient force magnetometer (AGFM) and crystal structure of the samples was investigated by XRD.
