P50. تاثير شكست تقارن پتانسيل زوج ابررسانايي بر ترابرد كوانتومي بار در پيوندگاه گرافيني فرومغناطيس/ابررسانا

Broken time reversal symmetry of superconducting pairing state on charge transport in ferromagnetic/superconductor graphene junction

با استفاده از فرمول‌بندي بلوندر-تينكهام-كلپويچك، ترابرد كوانتومي بار در يك پيوندگاه گرافيني فرومغناطيس/سد عايق/ابررساناي موج موهومي(dx2-y2+is) به صورت نظري مورد بررسي قرار گرفته است. در تحقيق انجام شده به طور مشخص نقش شكست تقارن وارون زمان در پتاسيل زوج ابررسانا بر رسانش كوانتومي بار پيوندگاه مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج نشان مي‌دهند پارامتر شكست تقارن وارون زمان (X) تاثير بسيار زيادي روي رسانش تونلي پيوندگاه دارد و با افزايش X ارتفاع قله رسانش پيوندگاه در انرژي صفر به شدت كاهش مي‌يابد. همچنين دريافتيم اثر مجاورت ابررسانايي در پيوندگاه به مقدار X حساس بوده و با افزايش آن دامنه نوسانات رسانش بار نسبت به زاويه‌ي چرخش گاف ابررسانايي β كاهش پيدا مي‌كند.در انتها نشان داده شد كه در بيشينه زاويه چرخش ابررسانايي β=π/4 ، با افزايش X، رسانش پيوندگاه بر حسب سد عايق χ_G رفتار نوساني از خود نشان مي‌دهد كه اين رفتار در پيوندگاه مشابه بدون شكست تقارن ديده نمي‌شود.

We investigate the charge transport through a graphene-based ferromagnetic-insulator-superconductor junction with broken time reversal symmetry (BTRS) of dx2-y2+is superconductor using the extended Blonder-Tinkham-Klapwijk formalism. Our analysis has shown several characteristics in this junction, providing a useful probe to understand the role of the order parameter symmetry in the superconductivity. We find that the presence of the BTRS (X) state in the superconductor region has a strong effect on the tunneling conductance curves which leads to a decrease in the height of the zero-bias conductance peak (ZBCP). In particular, we show that the magnitude of the superconducting proximity effect depends to a great extent on X and by increasing X, the zero-bias charge conductance oscillations with respect to the rotation angle β are suppressed. In addition, we find that at the maximum rotation angle β=π/4, introducing BTRS in the FIS junction causes oscillatory behavior of the zero-bias charge conductance with the barrier strength (χ_G) by a period of π.