P56. ارائه ساختار و بهبود عملكرد ديودهاي تونلي تشديدي يكپارچه مبتني بر نانونوارهاي گرافني غيرمتقارن همراه با غيرفعال‌سازي هيدروژني

Proposing and Performance Enhancement of a new Structure of Integrated Resonant Tunneling Diodes Based on Asymmetric Hydrogen-Passivated GNR

ساختارهاي تشكيل شده از گرافن، به علت خواص الكتريكي و حرارتي مناسبي كه از خود نشان داده‌اند، گزينه‌ي مناسبي به منظور جايگزيني در نسل جديد ادوات الكترونيكي مي‌باشند. يكي از اين ادوات، ديودهاي داراي شيب منفي درمشخصه خروجي است؛ كه از آن در مدارهاي فركانس بالا و كم مصرف مي‌توان استفاده كرد. در اين مقاله، يك ساختار غيرمتقارن ديود تونلي تشديدي با استفاده از نانونوارهاي گرافن (AHP-RTD) كه با هيدروژن غيرفعال شده‌اند، پيشنهاد شده است. همچنين اثرات پارامترهاي مختلف هندسي و نيز ايجاد عدم تقارن نسبي بر بهبود كميت PVR، دراين مقاله بررسي خواهد شد. شبيه‌سازي‌هاي كوانتومي توسط معادلات انتقال تابع گرين غيرتعادلي نشان مي‌دهد كه با تنظيم و ايجاد عدم تقارن نسبي، مي‌توان PVR را از 12 تا 21 ارتقا داد.

Graphene based electron devices are suitable candidates for future electronics due to excellent electrical properties. Devices with negative differential resistance (NDR) in the output characteristics exhibit potential applications in high frequency and low power electronics. In this paper a non-symmetric resonant tunneling diode (RTD) based on Graphene nano-ribbon (GNR) is proposed. The effect of structural parameters on the device NDR is investigated. Simulations based on NEGF shows that RTD with non-symmetric barriers exhibit higher peak to valley ratio (PVR) than symmetric structure.