شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
P90. شبيه سازي مدل يك بعدي باريكه مولكولي خالص (MBE) براي رشد لايه نازك
عنوان به زبان ديگر :
Simulation of one-dimensional molecular beam epitaxy (MBE) Model for thin film growth
پديدآورندگان :
سوسني شيما sousani.sh68@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه نيشابور؛ , دريايي ابراهيم edaryayi@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه نيشابور؛
كليدواژه :
, 82 , 81 , 68 , 89
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله ما مكانيزم رشد لايه نازك روش باريكه مولكولي خالص (MBE) را بر اساس مدل داس سرما و تامبورني مطالعه كرديم. پهناي سطح و تابع همبستگي ارتفاع- ارتفاع به منظور دست يابي به رفتار مقياسي ديناميكي اين مدل محاسبه گرديد. نتايج ما نشان مي دهد كه دو رژيم متفاوت براي تحول زماني پهناي فصل مشترك وجود دارد. اين دو رژيم مشخص به رفتار هاي خطي و غير خطي مدل MBE مرتبط مي شود.
چكيده لاتين :
In this paper, we study the thin film growth mechanism of the discrete Molecular Beam Epitaxy (MBE) based on Das Sarma and Tamborenea (DT) model. Surface width and height-height correlation function are calculated to estimate the dynamic scaling behaviors in this model. Our results demonstrate that there are two different regimes for the temporal evolution of the interface width. These distinct regimes are related to linear and non-linear behavior of MBE growth model.
