شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
A7. تاثيرحالت هاي مختلف ناخالصي هيدروژن بر خواص الكتروني و ساختاري اكسيدروي
عنوان به زبان ديگر :
Effect of different hydrogen dopant states on electronic and structural properties
پديدآورندگان :
بوستان افروز فهيمه Fbostanafroz@gmail.com آزمايشگاه پژوهشي رشد بلور، دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛ , جعفرتفرشي مجيد mtafreshi@semnan.ac.ir آزمايشگاه پژوهشي رشد بلور، دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛ , محمديزاده محمدرضا zadeh@ut.ac.ir آزمايشگاه پژوهشي ابررسانايي، دانشكده فيزيك دانشگاه تهران،؛ , فضلي مصطفي mfazli@semnan.ac.ir دانشكده شيمي، دانشگاه سمنان، سمنان؛
كليدواژه :
نظريه تابعي چگالي , اكسيد روي , آلايش با هيدروژن - خواص الكتروني , 71.15.Mb , 81.05.Dz , 71.20.Nr , 82.30.Rs
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
تاثير حالت هاي مختلف ناخالصي هيدروژن (Hi, HO و HO+Hi) بر خواص ساختاري، الكتروني و نوري اكسيدروي، در غلظت هاي مختلف 125/0، 020/0 و nH/nZn 625/0 با استفاده از نظريه تابعي چگالي (GGA+U) بررسي گرديد و نتايج با داده هاي تجربي مقايسه شد. محاسبات نشان دادند كه HO پايدارترين حالت بوده و بيشترين تاثير را در همه‌ي غلظت‌ها در افزايش شكاف نواري دارد. بر اساس آناليز بيدر(Bader ) در حالت آلايش ZnO با HO، يون H- در تهي جاي اكسيژن، قرار گرفته و در حالت تركيب HO+Hi، يك مولكول H2 در گيرمي افتد. بنابراين به نظر مي‌رسد تركيب HO+Hi مدل مناسبي براي اكسيدروي آلاييده با مولكول H2 در دماهاي بالا باشد. درنهايت مي توان نتيجه گرفت HO منبع اصلي رسانندگي نوع n بوده و Hi نقش برجسته اي در رسانندگي ندارد. رشد نمونه هاي آلاييده با هيدروژن در اتمسفر بدون اكسيژن، منجر به تهيه نمونه هاي بهتري براي بكارگيري اكسيدهاي هادي شفاف خواهد شد.
چكيده لاتين :
The effect of different states, including Hi, HO and HO+Hi complex on structural, electronic and optical properties of hydrogen doped ZnO for 0.020, 0.0625 and 0.125 nH/nZn concentrations has been studied using density functional theory (GGA+U) calculations. Results have been compared with other available experimental data for these defects. Calculations show that HO is the most stable states and it has the most effect on increase band gap of ZnO in all concentrations. Based on Bader analysis H- ion locates at VO+2 in HO state and HO+Hi state is a H2 molecule trapped in VO+2. So, it seems that HO+Hi complex is an appropriate model for H2 molecule doped at high temperature. Finally, it can result that HO is robust source for n-type conductivity while Hi has not prominent role. Growth of H-doped ZnO in oxygen poor atmosphere leads to the production of better samples for transparent conducting oxide (TCO) applications.
