A8. مقاومت مغناطيسي دولايه اي گرافيني در حضور ميدان مغناطيسي تقريبا موازي

Magnetoresistance of a double-layer hybrid system in a tilted magnetic field

در اين كار ما به بررسي خواص ترابردي يك سيستم دولايه اي متشكل از گرافين و يك لايه ديگر در حضور ميدان مغناطيسي تقريبا موازي با صفحه گرافين پرداخته ايم. اثر برهمكنش الكتروني بين دو لايه اي بر مقاومت مغناطيسي عادي و مقاومت مغناطيسي هال گرافين مورد بررسي قرار گرفته است. در نتيجه نشان داده ايم كه در حالتي كه تمام الكترون هاي لايه غير گرافيني قطبيده اسپيني باشند در مقاومت مغناطيسي گرافين يك پرش ايجاد خواهد شد. همچنين وجود يك مقاومت مغناطيسي هال بسيار بزرگ را در اين سيستم پيشبيني كرده ايم.

The magnetoresistance and Hall coefficient of a doped graphene layer are investigated in the presence of a tilted magnetic field. We consider a graphene layer assembled by either another graphene layer or by a two-dimensional electron gas (2DEG) layer and with the interlayer electron-electron interaction modeled within the random phase approximation. Our calculated magnetoresistances show different interlayer screening effects between decoupled graphene-graphene and graphene-2DEG systems. We also analyze the dependence of dielectric materials as well as the distance between the layers on magnetoresistances. The angle dependence of the Hall coefficient is studied and we show that a quite large Hall resistivity occurs in the graphene layer.