شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
A10. مطالعه ابتدا به ساكن صف بندي ترازهاي انرژي در فصل مشترك ZnO- حلال
عنوان به زبان ديگر :
First-Principles Study of Energy Level Alignment at the ZnO-Solvent Interface
پديدآورندگان :
تقي پورآذر ياور y.t.azar@gmail.com گروه فيزيك نظري و محاسباتي، پژوهشكده فيزيك و شتابگرها، سازمان انرژي اتمي ايران؛ , پيامي شبستر محمود mpayami@aeoi.org.ir گروه فيزيك نظري و محاسباتي، پژوهشكده فيزيك و شتابگرها، سازمان انرژي اتمي ايران؛
كليدواژه :
Energy level alignment , Dipole correction , Semiconductor , electrolyte interface , 73.20
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
چگالي سطحي دوقطبي در فصل مشترك اكسيد روي و حلال و تاثير آن بر صف بندي ترازهاي انرژي اين نيمرسانا در حضور مولكول‌هاي دو حلال رايج استونيتريل و دي‌متيل‌فرمامايد با استفاده از روش‌هاي ابتدا به ساكن مورد مطالعه قرار گرفته است. نتايج اين پژوهش نشان مي‌دهد كه يك برهم‌كنش قوي بين سطح و مولكول‌هاي حلال برقرار مي‌شود، و دوقطبي ايجاد شده در فصل مشترك نيمرسانا - حلال، اختلاف موثري در پتانسيل الكتروستاتيك دو طرف تيغه بوجود مي‌آورد كه باعث جابجايي لبه هاي نوار رسانش و ظرفيت نسبت به سطح تميز نيمرسانا مي‌شود. همچنين نشان داده شده كه بين مقدار پوشش سطحي و اختلاف پتانسيل دو سمت تيغه يك رابطه لگاريتمي برقرار است.
چكيده لاتين :
The density of Surface dipoles at ZnO-solvent interface and its effect on the energy level alignment of ZnO in the presence of two most popular solvents (MeCN and DMF) has been studied using ab-initio methods. Our results show that there is a strong interaction between the solvent molecules and the semiconductor surface, and the induced surface dipole moments lead to a significant electrostatic potential difference at the two sides of the semiconductor slab. Also, it is shown that there is a logarithmic-like relation between the surface coverage and the electrostatic potential difference.
