اهميت تكنيك هاي رياضي در تحليل مدارات ضرب كننده

در مقاله مطرح شده مروري داريم بر سه نوع مقاله در مورد ضرب كننده ها كه در هر يك از آن ها از روابط رياضي مختلفي در تحليل مدار هاي ضرب كننده آنالوگ استفاده شده است. اولين تكنيك رياضي كه در آن براي طراحي مدار هاي ضرب كننده استفاده شده است، مشخصه جبري quarter–square مي باشد كه در مدار ضرب كننده CMOS جديد چهار ربع حالت جريان بكار برده شده است. تكنيك دوم روابط رياضي مي باشد كه از بلوك دياگرام يك مدار ضرب كننده آنالوگ چهار ربع مبتني بر مربع حاصل شده كه در تحليل مدار ضرب كننده CMOS چهار ربع ولتاژ پايين و توان پايين استفاده شده است و تكنيك رياضي بعدي مشخصه جبري square–difference مي باشد كه در تحليل مدار ضرب كننده CMOS آنالوگ چهار ربع دو حالته كلاس- AB همه كاره استفاده شده است. در ضرب كننده ها، حلقه translinear دوتايي به عنوان بلوك هاي ساختمان عامل تحقق طرح مي باشد. در اين طرح از تكنولوژي هاي 350 نانومتر و 500 نانومتر براي ترانزيستورهاي CMOS استفاده شده كه با شبيه سازهاي HSPICE ، SPICE و PSPICE شبيه سازي شده است و مداري با پهناي در حد مگا هرتز و مصرف توان كم ارائه مي دهد.در اين طرح پارامترهاي پهناي باند، سرعت و توان مصرفي مدارات ارائه شده مقايسه و در اخر جمع بندي شده است.