طراحي يك جمع كننده كامل بر اساس گيتهاي نفوذي بهينهشده

در اين مقاله يك مدار جمع كننده كامل، بر اساس فنّاارري بهيناه شاده گيا نواو ي ) Gate Diffusion Input ( كاه بواور خلاصه GDI گوته مي شود، طراحيشده اس . ساختار گي نوو ي براي كم كردن توان مصرفي ر تعداد ترانزيستور در مقايسه با فنّارري CMOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor ( پيشنهاد شده اس . در ساختار GDI بهينه شده پيشنهادي علاره بر كاهش توان، تعداد ترانزيستور ر به دنبال آن مساح اشغال شده كاهش يافتاه اس . براي مقايسه از اين ساختار اصلاح شده درطراحي يك جمع كننده كامل تك بيتي استواده شاده اسا . ي اي از معايا GDI تخري )تضعيف( سيگنال اس . در اين كار پژرهشي با تغييراتي در نحوه اتصال بدنه مقدار تضعيف سيگنال كاهش يافتاه اس .مدار جمع كننده كامل با ساختار GDI اصلاح شده با شبيه ساز اسپايس در فنآرري 180 ناانومتر پيااده شاده اسا ر باا جمع كننده CMOS استاندارد مقايسه شده اس ر برتري آن نشان داده شده اس . توان مصرفي مدارجمع كننده تك بيتي درت نيك GDI بهينه شده 36 % كمتار از ت نولاو ي CMOS ماي باشادرهمينين در ت نيك GDI بهينه شده تعداد 14 عدد ترانزيستوراستواده شده اس درصورتي كه تعداد ترانزيستوراساتواده شاده در CMOS برابر اس با 42 مي باشد