مطالعه اصول اوليه گرافن فلوئوردارشده

اگر چه عدم وجود يك شكاف باند باعث ممانعت از كاربردهاي گرافن در دستگاه‌هاي ميكرو الكترونيك است، ولي يك شكاف باند مناسب را مي‌توان با عامل دار كردن شيميايي گرافن طراحي كرد. ما اصول اوليه محاسبات نانوساختارهاي دو‌بعدي مربوط به گرافن كه با فلوئور عامل‌دار شده است را در ساختار صندلي بيان مي‌كنيم. ساير مطالعات به طور عمده روي موارد عامل دار كردن 100% و 50% توسط هيدروژن متمركز بوده‌اند، بنابراين، انجام تحقيق كامل تري، براي تغيير در خواص الكتروني و ساختاري، با توجه به عامل دار كردن، مطلوب به نظر مي‌رسيد، به همين علت ما تعداد اتم‌هاي اضافه شده را يك‌به‌يك افزايش داده‌ايم. چگالي نسبي حالات، ساختار نواري و انرژي اتصال را در چارچوب نظريه تابع چگالي محاسبه كرده و توسط نرم افزار siesta شبيه سازي كرده ايم. همچنين تغييرات در طول باند C-C و C-F را مورد بررسي قرار داده ايم. همانطور كه تعداد اتم‌هاي اضافي (فلوئور) افزايش مي‌يابند، تغييرات در شكاف باند در اطراف انرژي فرمي مشاهده مي‌شود، و در نتيجه رفتار نانوساختار از هادي به نيمه‌هادي / عايق تغيير پيدا مي‌كند. همچنين واضح است كه امكان تنظيم خواص الكترونيكي گرافن عامل‌دار، به نحوي كه به يك ماده مناسب در ميكرو‌الكترونيك تبديل شود، وجود دارد.