شماره ركورد كنفرانس :
3908
عنوان مقاله :
بررسي تاثير انحراف از معيار پروفايل رشد همبافته كانال بر ولتاژ آستانه IEMOSFET
پديدآورندگان :
زارع داويجاني محمد اسمعيل mohammad_z_d@yahoo.com دانشجوي دكتري الكترونيك، گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي، گرمسار، ايران , عباسي عبدالله abbasi_iust@yahoo.com گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي، گرمسار، ايران
كليدواژه :
ترانزيستور كاشت-رشد همبافته ماسفت , تراكم ناخالصي كانال , پارامتر انحراف از معيار , پروفايل گوسين , ولتاژ آستانه.
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس ملي رويكردهاي نو در مهندسي برق و كامپيوتر
چكيده فارسي :
در اين مقاله ترانزيستور كاشت-رشد همبافته ماسفت (IEMOSFET) مبتني بر تكنولوژي SiC شبيه سازي و تحليل شده است. تاثير پروفايل رشد همبافته كانال بر ولتاژ آستانه ترانزيستور بررسي خواهد شد. در واقع تاثير پارامتر انحراف از معيار پروفايل گوسين تراكم ناخالصي كانال بر منحني جريان درين-ولتاژ گيت و ولتاژ آستانه ترانزيستور را بررسي خواهيم كرد. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد كه با افزايش پارامتر انحراف از معيار پروفايل ناخالصي كانال، ميزان نفوذ كانال به درون زيرلايه بيشتر شده، مقاومت كانال كاهش يافته و در نتيجه جريان درين افزايش مي يابد. در واقع با افزايش پارامتر انحراف از معيار پروفايل گوسين تراكم ناخالصي لايه هم بافته كانال، تراكم ناخالصي كانال افزايش يافته كه در نتيجه ولتاژ آستانه كاهش خواهد يافت.
