شماره ركورد كنفرانس :
3908
عنوان مقاله :
تحليل و شبيه سازي درين كم آلايش با استفاده از مدل پيرسون
عنوان به زبان ديگر :
Analysis and simulation low drain doping (LDD) by Pearson Implant Model
پديدآورندگان :
بابازاده داريان بهنام Behnambabazadehdaryan@yahoo.com دانشجوي دكتري الكترونيك،گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي،گرمسار،ايران , عباسي عبدالله Abbasi_iust@yahoo.com گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي،گرمسار،ايران
كليدواژه :
تكنولوژي CMOS , فناوري طراحي به كمك كامپيوتر(TCAD) , كاشت يون
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس ملي رويكردهاي نو در مهندسي برق و كامپيوتر
چكيده فارسي :
ساختار درين با آلايش كم(LDD-CMOS) به منظور كاهش خازنهاي پارازيتي، كاهش شدت ميدان الكتريكي و كاهش احتمال تشكيل الكترونهاي داغ در تكنولوژي CMOS بكار برده ميشود. پخش و كاشت يون دو روند كليدي در تكنولوژي CMOS هستند كه از آنها براي گزينش آلايش نيمه رسانا براي ايجاد ناحيه نوع-p و نوع-n و ايجاد نواحي LDD استفاده ميشود. هدف از اين مقاله تحليل و شبيه سازي مراحل كاشت يون درLDD-CMOS در تكنولوژي 1μm و برگرفته از موسسه ISiT با استفاده از فناوري طراحي به كمك كامپيوتر ميباشد. اين فرآيند در محيط ATHENA نرمافزارSILVACO شبيهسازي و برخي از پارامترهاي فنآوري، مانند تراكم p+ وn+، غلظت دوپينگ و همچنين انرژيهاي كاشت يون و دوز ناخالصيها بدست آمده است.
