شماره ركورد كنفرانس :
3974
عنوان مقاله :
تحليل مشخصه¬¬هاي ترانزيستور اثر ميداني تونلي گرافيني GTFET در مقياس نانو
پديدآورندگان :
بابازاده داريان بهنام Behnambabazadehdaryan@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي، گرمسار، ايران , نوري¬زاده اردبيلي ، محمدرضا R.noorizadeh1@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي، گرمسار، ايران
كليدواژه :
ترانزيستور اثر ميدان تونلي گرافين , ولتاژ آستانه , سيلواكو ((SILVACO
عنوان كنفرانس :
ششمين كنفرانس ملي ايده هاي نو در مهندسي برق
چكيده فارسي :
در اين مقاله ساختار و مشخصه¬هاي افزاره اثر ميداني تونلي گرافيني (GTFET) در مقياس نانو بررسي شده است. با بررسي سه ساختار در نظر گرفته شده براي افزاره شامل گرافين داراي شكاف باند و بدون شكاف باند و تركيبي از هر دو در ميان نواحي سورس، كانال و درين، مشخص گرديد كه نسبت Ion/Ioff در ساختار تركيب گرافين داراي شكاف باند و بدون شكاف بهبود قابل توجهي در مقايسه با ساير ساختارها در مقياس نانو داشته و داراي مشخصه¬هاي خروج مناسب¬تري جهت كاربرد آنالوگ و ديجيتال مي¬باشد. همچنين شبيه¬سازي¬ها نشان داد با كاهش غلطت ناخالصي نواحي مختلف، جريان كشيده شده و ولتاژ آستانه (Vth) افزاره كاهش مي¬يابد.
