تاثير بارهاي قطبش بر نرخ بازتركيب تشعشعي در ديودهاي گسيل كننده¬ي نوري مبتني بر چاه¬هاي پتانسيل InGaN/GaN

بارهاي قطبش يكي از مهم¬ترين جنبه¬هايي است كه در چاه¬هاي پتانسيل InGaN/GaN بدان توجه مي¬شود. اين بارها باعث جدايي توابع موج الكترون و حفره مي¬گردد و همين موضوع باعث مي¬شود تا انتگرال هم¬پوشاني كاهش يابد. كاهش انتگرال هم¬پوشاني سبب مي¬گردد تا حد زيادي بهره¬ي ديود¬هاي گسيل كننده¬ي نوري را نيز كاهش دهد زيرا انتگرال هم¬پوشاني رابطه¬ي مستقيمي با نرخ بازتركيب خودبه¬خودي نوري دارد. به طور كلي در اين مقاله يك ساختار مناسب ارائه شده است تا تجمع بارهاي قطبش كم شود و براي نشان دادن اين موضوع نمودار نرخ بازتركيب تشعشعي، توابع موج حامل ها، دياگرام انرژي و هم¬چنين ميزان بار تجمع شده را در ساختار جديد و قديم بررسي شده است.