شماره ركورد كنفرانس :
3974
عنوان مقاله :
شبيه سازي ترانزيستورهاي اثر ميدان مبتني بر نانولوله هاي كربني
پديدآورندگان :
رادسر طاهره t_radsar@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، دانشكده فني و مهندسي، دانشگاه آزاد اسلامي واحد گرمسار، گرمسار، ايران , خالصي حسن Khalesih@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، دانشكده فني و مهندسي، دانشگاه آزاد اسلامي واحد گرمسار، گرمسار، ايران
كليدواژه :
ترانزيستور اثر ميدان فلز اكسيد نيم رسانا , ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربني , مشخصات جريان – ولتاژ , نانولوله كربني.
عنوان كنفرانس :
ششمين كنفرانس ملي ايده هاي نو در مهندسي برق
چكيده فارسي :
در ادامه روند كوچك سازي ابعاد ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز – اكسيد – نيم رساناي سيليكوني و نزديك شده به محدوديت هاي تكنولوژي سيليكون، پيشنهادهاي جديدي جهت جايگزيني آن مطرح شده اند. ترانزيستورهاي اثر ميدان مبتني بر نانولوله هاي كربني از جمله كانديداي بلوك اصلي قطعات در آينده نانوالكترونيك هستند. در اين مقاله ابتدا ترانزيستورهاي اثر ميدان نانولوله كربني و انواع آن از لحاظ ساختار و عملكرد بررسي مي شود و شرح مقايسه اي از آن ها ارائه مي گردد. سپس اثر مشخصات نانولوله كربني به كار رفته در ساختار ترانزيستور بر مشخصات جريان – ولتاژ آن مورد مطالعه قرار مي گيرد و در انتها نتايج تحقيق ارائه مي گردد.
