بررسي سلول حافظه غير فرار 8T2R مبتني بر ممريستور، با ولتاژ تغذيه پايين براي كاربردهاي توان پايين

چكيده بسياري از تراشه هاي SoC ، براي رسيدن به كارايي بالا و يا ولتاژ كم در حالت روشن، با قابليت ذخيره سازي داده ها به صورت غير فرار، در حالت خاموش مدار، به كار گرفته مي شوند. با اين حال، اين مدارات از سرعت پايين ذخيره و بازيابي اطلاعات به دليل انتقال سري كلمه به كلمه بين حافظه هاي فرار و غير فرار، رنج مي برند. سرعت پايين ذخيره و بازيابي به زمان طولاني روشن/خاموش منبع تغذيه منجر شده و دستگاه را در برابر قطع ناگهاني توان، آسيب پذير مي كند. اين مقاله يك حافظه مقاومتي (ممريستور) را بر اساس SRAM غير فرار (يا لچ ممريستور)، براي رسيدن به عمليات ذخيره و بازيابي موازي بيت به بيت به صورت سريع، مصرف انرژي ذخيره و بازيابي كم، همراه با منطقه جمع و جور(صرفه جويي در مساحت)، را پيشنهاد مي دهد. اين سلول 8 ترانزيستوري مقاومتي غيرفرار( RNV8T )، شامل دو ممريستور نوشتن كه به صورت عمودي روي 8 ترانزيستور قرار گرفته اند، و دو سوئيچ ممريستور جديد كه عمليات كنترل ممريستورها و نوشتن كمكي سلول حافظه را فراهم مي كند، مي باشد. ويژگي نوشتن كمكي باعث مي شود كه سلول حافظه RNV8T، سايز ترانزيستورهاي مورد توجه براي عمليات خواندن را براي جلوگيري از تخريب سلول در توان هاي پايين، بهبود بخشد. شبيه سازي اين سلول در ولتاژ 0.32 ولت و با نرم افزار HSPICE انجام شده است. واژگان كليدي: منبع تغذيه پايين، ممريستور، لچ ممريستور،حافظه ي غيرفرار، حافظه ي مقاومتي