بازرسي قطعات فرو مغناطيسي به روش نشت شار مغناطيسي (MFL) و تاثير ابعاد نقض بر ميدان مغناطيسي با استفاده از مدلسازي عددي MFL PM

چكيده امروزه درصنعت از مخازن تحت فشار استفاده¬هاي بسيار زيادي براي حمل و نقل و نگهداري انرژي مي¬شود كه اين مخازن بواسطه حجم عمليات بالاي بازرسي و حساسيت كاري آنها نيازمند به استفاده از روش هاي دوره¬ايي و اتوماتيك مي¬باشند. بهينه¬ترين روش پيشنهادي از نظر هزينه و نحوه كاركرد و نتايج در مقابل ساير تكنيك هاي تست غير مخرب NDT)) روش نشت شار مغناطيسي (MFL) است كه برپايه الكترومغناطيس ميباشد. هنگامي¬كه يك ميدان مغناطيسي به يك ماده فرومغناطيس اعمال مي¬شود، نشت شارمغناطيسي بدليل ناپيوستگي¬هاي هندسي موجود در قطعه باعث تحريك سنسورهاي مورد استفاده در مجاورت ميدان مغناطيسي ميشوند. ميدان مغناطيسي مي تواند به دو روش اهنرباي دائم و يا سيم پيچ به همراه يوك فريتي ايجاد گردد. بواسطه پيچيدگي هندسي عيوب بوجود آمده و پارامترهاي موثر بر نشتي شار مغناطيسي نياز به تحليل فرايند بازرسي MFL امري اجتناب ناپذير مي باشد. در اين مقاله قصد داريم به تشريح روش نشت شار مغناطيسي با آهنربا و بوسيله سيم پيچ بپردازيم همچنين تاثير پارامتر هندسه ابعادي عيوب (طول، عمق) را بر ميزان نشت شار مغناطيسي و اثر فاصله سنسور بر ميدان مغناطيسي توسط روش المان محدود بصورت دو بعدي در ورق هاي فلزي فرومغناطيسي را بررسي مي¬كنيم.نهايتا قابليت سنسورهاي مورد استفاده در اين روش گفته مي¬شود. واژگان كليدي: نشت شارمغناطيسي ، تست غيرمخرب، سنسور مغناطيسي، الكترومغناطيس، المان محدود