بررسي سلول حافظه SRAM چهار ترانزيستوري غير فرار مبتني بر ممريستور با ولتاژ پايين براي فناوري نانومتر

چكيده فناوري هاي نوظهور به منظور كاهش اتلاف توان، در حالت آماده به كار مدارات، به كار گرفته مي شوند. حافظه هاي غير فرار، يك تراشه را قادر به حفظ اطلاعات بعد از زمان خاموشي نيز مي كنند. اين حافظه غيرفرار مي تواند از طريق تكنولوژي حافظه ممريستور حاصل شود. استفاده از ممريستور در مدارات جديد و معماري‌‌هاي جديد، انقلابي است كه به شدت آينده سيستم‌‌هاي الكترونيكي را تحت‌تأثير قرار داده و دانشي جديد را پديد خواهد آورد، يك تكنولوژي نو ظهور اميدوار كننده با خواص منحصر به فرد مانند چگالي بالا، توان كم و مقياس پذيري خوب است، و از طرفي كوچكي و سرعت بالاي آن هم مورد توجه قرار مي‌گيرد. بنابراين در اين مقاله ما از يك سلول SRAM اصلاح شده كه با ممريستور تركيب شده است و اجازه حفظ داده ها را در قدرت به پايين بدون نياز به مدارات كمكي به سلول SRAM مي دهد، استفاده مي كنيم. شبيه سازي در ولتاژ تغذيه 0.8 ولت انجام شده است. واژگان كليدي:حافظه غيرفرار،ممريستور،فناوري نانومتر، SRAM، توان مصرفي