شماره ركورد كنفرانس :
4059
عنوان مقاله :
اسيلاتور حلقوي موج ميليمتري با استفاده از ترانزيستور GNRFET در فركانس 213 گيگا هرتز و فراتر
پديدآورندگان :
باغي رهين وحيد vahid.baghi@sardroud-iau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود، , باغي رهين امير amir.baghi@sardroud-iau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود،
كليدواژه :
ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET) , موج ميليمتري , اسيلاتور حلقوي , حاصلضرب تاخير در توان (PDP).
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي پژوهش هاي كاربردي در علوم و مهندسي
چكيده فارسي :
ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET ها) رقيب تكنولوژي MOSFET معمولي با توجه به قابليت هاي درايو جريان بالاتر، حمل و نقل بالستيك، حاصلضرب تاخير در توان كمتر و پايداري حرارتي بالاترشان مي-باشند. بر اساس اين خواص اميدوار كننده GNRFET ها، در اين مقاله يك اسيلاتور حلقوي موج ميليمتري براساس GNRFET كه در محدوده فركانسي 213 گيگاهرتز و فراتر كار مي¬كند در تكنولوژي 16 نانومتر معرفي شده است. به خاطر سادگي در طراحي RF، اسيلاتور بر اساس وارونگرهاي GNRFET است. توان مصرفي ميانگين اسيلاتور در محدوده فركانس 213 گيگا هرتز 35/2 ميكرو وات با دامنه هارمونيك پايه حدود 97/0- دسي بل است. اين مقادير براساس شناخت ما براي نخستين مورد گزارش شده در مقالات در زمينه طراحي هاي اسيلاتور مبتني بر GNRFET هستند.
واژگان كليدي: ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET)، موج ميليمتري، اسيلاتور حلقوي، حاصلضرب تاخير در توان (PDP).
