شماره ركورد كنفرانس :
4061
عنوان مقاله :
بررسي نظري خواص الكترونيكي پيزوالكتريك Ca3TaGa3Si2O14 با روش پتانسيل كامل امواج تخت تقويت شده خطي
پديدآورندگان :
اسمعيليكرناوه عاطفه ei_atefe@yahoo.com دانشكده علوم پايه فيزيك، دانشگاه حكيم سبزواري؛ , باعدي جواد j.baedi@hsu.ac.ir دانشكده علوم پايه فيزيك، دانشگاه حكيم سبزواري؛
كليدواژه :
گاف نواري , پيزوالكتريك , ثابت‌هاي شبكه-DFT-GGA.
عنوان كنفرانس :
سومين كنفرانس ملي مهندسي مواد، مهندسي شيمي و ايمني صنعتي
چكيده فارسي :
: در اين مقاله برخي خواص الكترونيكي تركيب Ca3TaGa3Si2O14 (CTGS) در فاز هگزاگونال و گروه فضايي P321 و ثابت‌هاي شبكه (a=8.1056(2) Å ,c=4.9800(1) Å ,z=1) بدست اورده شده‌است.از جمله اين خواص ميتوان به چگالي ابرالكتروني، ساختار‌‌نواري و چگاليحالت‌ها اشاره كرد كه اشكال هر مورد گنجانده شده‌است. براي تهيه اين خواص از كد محاسباتي Wien2k استفاده شده‌است. محاسبات اين كد با بكارگيري تقريب شيب تعميميافته (GGA) و روش پتانسيل كامل به همراه امواج تخت تقويت شده خطي (FL_LAPW) در چارچوب نظريهي تابعي چگالي (DFT) بوده‌است. بررسي چگالي كل تركيب و ساختار نواري نشان ميدهد كه گاف نواري آن غيرمستقيم بوده و برابرev ۴/۱ميباشد.
