شماره ركورد كنفرانس :
4078
عنوان مقاله :
شبيه سازي و بهينه سازي ترانزيستورهاي با حركت الكترون زياد AlGaNGaN
عنوان به زبان ديگر :
Simulation and optimization of field effect transistors HEMT AlGaN
پديدآورندگان :
بازغي كيسمي شاهين SH.BAZEGHI@GMAIL.COM دانشجوي دكتري الكترونيك، دانشگاه آزاد واحد گرمسار، ايران؛ , عباسي عبداله A_abbasi@semnan.ac.ir استاديار، دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه سمنان ، ايران؛
تعداد صفحه :
8
كليدواژه :
ترانزيستور با موبيليتي بالاي الكترون , نوسان هاي بالا , مراحل ساخت , منحني مشخصات جريان ولتاژ
سال انتشار :
1396
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي كاربرد فناوري هاي نوين در علوم و مهندسي برق، كامپيوتر و IT
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
ترانزيستور با موبيليتي بالاي الكترون كه مخفف عبارت انگليسي آن HEMT است نوعي ترانزيستور اثر ميداني و يا اصطلاحا همان fet است. اين نوع ترانزيستور، بعنوان يك نوسان كنندهء موج حامل مايكروويو بكار مي رود. اولين بار در سالهاي 1969 بررسي شد اما تا سال 1980 ترانزيستوري كه بتواند اين كار را بكند هنوز به بازار نيامده بود. در اين سال بود كه اولين نوع آن براي تست كردن آماده شد و در سالهاي 1980 تست روي آن شروع گرديد. گاليم AlGaAs و آرسانيد گاليم GaAs است. علت اينكه از آرسانيد گاليم در دو طرف آن استفاده شده براي اينست كه حركت الكترون را در آن ارتقا دهند و اين عمده ترين كار براي يك ترانزيستور در نوسان هاي بالاست. اكثر HEMTها از نوع كانال n هستند تا به قابليت حركت و در نتيجه سرعت بالاتر دست يابند. در اين مقاله ترانزيستور با موبيليتي بالاي الكترون بررسي و شبيه سازي مي شود. ابتدا مقدمه اي از طراحي اين ترانزيستور بيان مي شود كه براي درك بهتر از عملكرد اين نوع ترانزيستور، با استفاده از نرم افزار سيلواكو، شبيه سازي و منحني مشخصات آن رسم مي گردد.
چكيده لاتين :
A transistor with a high-power mobile, equivalent to HEMT s English, is a field effect transistor, or so-called fet. This kind of transistor, as a oscillator, is used to transmit microwave transmitters. It was first reviewed in 1969, but by 1980, the transistor that was able to do so was not yet on the market. This year, its first type was ready for testing, and began testing in the 1980s. Gallium AlGaAs and Gallium Arsenide are GaAs. The reason for using gallium arsenide on both sides is to move the electrons in it, and this is most important for a transistor in high oscillations. Most HEMTs are of the type n channel, so they can move faster and thus get faster. In this paper, the transistor is examined and simulated parallel to the top of the electron. First, an introduction to the design of this transistor is expressed, simulating and specifying the curve of the transistor to better understand the performance of this type of transistor, using the Silavecraft software.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت