بررسي خواص الكتروني و اپتيكي سيليكن (Silicene) با استفاده از محاسبات اصول اوليه

A first principle study of electronic and optical properties of Silicene

هدف اين مقاله، مطالعه خصوصيات ساختارالكتروني و اپتيكي سيليكن دوبعدي در ابعاد نانومتر لايه نشاني شده رويAg كه به صورت شبكه لانه زنبوري داراي اندكي خميدگي است با استفاده از نظريه تابع چگالي و قابل استفاده در كد siesta مي‌باشد. مطالعات روي خصوصيات اپتيكي نشان‌مي‌دهد كه نتايج شديداً به جهت پولاريزاسيون نور بستگي دارد. طيف جذب اپتيكي سيليكن داراي دو پيك مهم است: i:يك پيك تيز در ev 1.77كه ناشي از گذار حالت‌هايπ بهπ^* مي‌باشد. ii:يك پيك پهن در بازه ev 10-4 كه ناشي از گذار حالت‌هايσ به نوارهاي هدايت است. همچنين بر روي اثر ميدان الكتريكي استاتيكي اعمالي روي ساختار الكترونيكي سيليكن مطالعه شده است كه نتايج نشان مي‌دهد اعمال ميدان الكتريكي منجر به باز شدن شكاف نواري در سيليكن مي‌گردد و نوار ظرفيت و هدايت به طور متقارن از سطح فرمي دور مي‌شوند و فلز سيليكن خاصيت نيمه‌رسانايي پيدا مي‌كندكه در ساخت ترانزيستورهاي اثرميدان Transistors) Field Effect ( كاربرد دارد.

The objective this article is sue from density funct and eptical construction spechfications in two dimensional silicene in nanometer dimentions of blazonry layer on Ag that similar hexagonal network like honeycomb structure is low-buckled with the lattice constant of 3.88Å. Indicate studies on eptical fatures that strongly results depend on direction light polarization the silicene .eptical suction spectrum has tow malachias: a acute peon in 1.77 ev that is result of transition states π into π^*. and a cachet peon in 4-10 ev span that is due transition from 6 states into conduction bands. also, investigate on impacte statical and electrical scope on silicen electronical construction that indicate results use electrical scope lead to open band chink in Silicene and distant capacity and direction band from fermium surface homologra phicy and silicene metal gain semiconductor fature that this implementate in constration filed effect transistors.