نانو تكنولوژي دريكسوكننده نيم موج با دقت بالا در مد جريان دوگانه با توان مصرفي پايين مورد استفاده در مدارت آشكارساز

اين مقاله يك يكسوكننده نيم موج با دقت بالا در مد جريان خروجي دوگانه با استفاده از تكنولوژي ساختcmos 180 نانومتر ارائه مي دهد كه باولتاژ پايين 1± كار مي كند. در مدارات آشكارساز نياز به توان مصرفي پايين و ايعاد تراشه كوچك مورد نياز مي باشد. استفاده از تكنولوژي نانو ما رابه اين امر مهم مي رساند. همه ترانزيستورها در ناحيه اشباع كار مي كنند. اين مدار سيگنال سينوسي ورودي را دريافت مي كند و سيگنال نيم موج خروجي را در فركانس بالا و مد جريان يكسو مي كند. ساختار اصلي اين مدار متشكل از مدار معكوسكنندهcmos دو منبع جريان آيينهاي ميباشد. نتايج شبيه سازي با استفاده از نرم افزارHSPICEمورد تائيد است. مدار پيشنهادي داراي پهناي باند50MHZمي باشد جريان ورودي درحدود100μAتوان مصرفي 21 پيكووات محاسبه شده است.