بررسي برهمكنش مولكول نيترآميد بر روي سطح نانولوله گاليم نيتريد آرمچير (4،4) خالص و عاملدار شده با اتم پلاتين

در اين پژوهش، تأثير عاملدار كردن نانلوله گاليم نيتريد آرمچير (4،4) به منظور يافتن حسگرهاي حساس مناسب براي مولكول نيترآميد (NH2NO2) كه يكي از عوامل آلودگي هواكره مي باشد با استفاده از روش نظريه ي تابعي دانسيته ((DFT مورد بررسي قرار گرفته است. دراين روش ابتدا نانولوله ها را به روش B3LYP و پايه LAL2DZ به حداقل انرژي رسانده سپس پارامترهاي انرژي جذب، توصيف گرهاي كوانتومي، انرژي بالاترين اوربيتال مولكولي اشغال شده (HOMO) و پايين ترين اوربيتال مولكولي اشباع نشده (LUMO) و در نهايت محاسبات NBO با روش pop=nbo انجام شد. نتايج انرژي جذب نشان مي دهد تعامل قوي بين مولكول جاذب و نانولوله گاليم نيتريد خالص و عاملدارشده مي باشد. از سويي مطالعات اوربيتال هاي مولكولي، توصيف گر هاي كوانتومي و ساير پارامترها نشان مي دهند كه فرآيند جذب باعث كاهش گاف انرژي و كاهش سختي (افزايش نرمي) درنتيجه افزايش رسانايي نانولوله مي شود. علاوه بر اين نتايج پارامتر هاي NBO و نمودار هاي DOS نشان دهنده برهمكنش مطلوب بين نانولوله و مولكول جاذب وجود دارد. بنابراين نانولوله گاليم نيتريد آرمچير (4,4) خالص و عاملدار شده با اتم پلاتين گزينه مناسبي براي شناسايي مولكول آلاينده نيترآميد است.