شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
ترانزيستور اثر ميدان بر پايه لايه نازك WO3 و تاثير مايع يوني بر روي آن
عنوان به زبان ديگر :
Field Effect Transistor based WO3 Thin Films and Ionic Liquid Effect
پديدآورندگان :
كلهري حسين hossein.kalhori@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي اصفهان، ، اصفهان، ايران؛ مدرسه فيزيك و كرن، ترينيتي كالج دوبلين، دوبلين 2، ايرلند دانشگاه شهيد چمران، اهواز ؛ , بوريسوف كيريل borisovk@tcd.ie مدرسه فيزيك و كرن، ترينيتي كالج دوبلين، دوبلين 2، ايرلند دانشگاه شهيد چمران، اهواز؛ , پورتر استيون باري porters1@tcd.ie مدرسه فيزيك و كرن، ترينيتي كالج دوبلين، دوبلين 2، ايرلند دانشگاه شهيد چمران، اهواز؛ , كويي جان مايكل jcoey@tcd.ie 2 مدرسه فيزيك و كرن، ترينيتي كالج دوبلين، دوبلين 2، ايرلند دانشگاه شهيد چمران، اهواز؛ , رنجبر مهدي ranjbar@cc.iut.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي اصفهان، ، اصفهان، ايران , سلامتي هادي salamati@cc.iut.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي اصفهان،اصفهان، ايران
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
ترانزيستور اثر ميدان , مايعات يوني , لايه نازك , 84
سال انتشار :
1395
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
لايه هاي نازك WO3 بر روي زيرلايه هاي SrTiO3 به روش ليزر پالسي لايه نشاني شد. نتايج آناليزهاي XPS و AFM تركيب شيميايي سطح لايه و مورفولوژي آن را تعيين نمود. با استفاده از يك ترانزيستور اثر ميدان ساخته شده توسط اين لايه ها و همچنين مايع يوني EMIM-TFSI، خواص الكتريكي لايه نازك WO3 مورد بررسي قرار گرفت. مقاومت الكتريكي اين لايه ها وابستگي زيادي به ولتاژ گيتينگ و آهنگ تغييرات آن نشان مي دهد.
چكيده لاتين :
WO3 thin films were deposited on the surface of SrTiO3 (001) substrate by pulsed laser deposition method. The results of XPS and AFM analysis revealed the chemical composition and the morphology of the films. Using a field effect transistor made by these films as well as an ionic liquid called EMIM-TFSI, the electrical properties of WO3 thin films were investigated. It is shown that the electric resistance of the films is dependent to the gating voltage and its scan rate.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت