شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
ساخت و بررسي ديود نورگسيل آلي تك لايه تا چهارلايه بر اساس مادۀ فعالMEH-PPV
عنوان به زبان ديگر :
Fabrication and analysis of single- to four-layer light emitting diodes based on an active layer of MEH:PPV
پديدآورندگان :
نام نيها شيدا namneiha.sh@gmail.com دانشكده علوم، گروه فيزيك، دانشگاه شهيد چمران اهواز، اهواز، ايران؛ , صباييان محمد sabaeian@gmail.com دانشكده علوم، گروه فيزيك، دانشگاه شهيد چمران اهواز، اهواز، ايران؛ , فربد منصور farbod_m@scu.ac.ir دانشكده علوم، گروه فيزيك، دانشگاه شهيد چمران اهواز، اهواز، ايران؛
كليدواژه :
ديودهاي نورگسيل آلي , منابع نوري آلي , ولتاژ روشن شدن , 12416
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
در اين مقاله ديودهاي نورگسيل آلي (OLED) نانوساختار تك لايه، دو لايه، سه لايه و چهارلايه با مادۀ فعال MEH-PPV ساخته شدند و ولتاژ كاري آنها تا حد امكان با افزودن لايه‌ها كاهش داده شد. براي لايه‌نشاني مواد ديود، از روش لايه‌نشاني چرخشي براي پليمرها و تبخير حرارتي در خلا براي مولكول‌هاي كوچك و آلومينيوم استفاده كرديم. در ابتدا يك ديود تك لايه با ساختار ITO/MEH-PPV/Al(165 nm) ساخته شد. سپس به منظور تزريق بهتر حامل‌هاي بار و بررسي تاثير افزودن لايه‌هاي انتقال‌دهندۀ حفره و لايۀ انتقال‌دهندۀ الكترون و لايۀ بافر بر ولتاژ روشن شدن ديود، لايه‌هاي تزريق‌كنندۀ حفرۀ PEDOT:PSS و انتقال‌دهندۀ الكترون Alq3 اضافه شدند و در نهايت لايۀ بافر و تزريق كنندۀ الكترونLiF اضافه شد. ديود دو لايه با ساختار ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al(165 nm) و سه لايه با ساختار ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Alq3(50nm)/Al(165nm) و چهار لايه با ساختار ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Alq3(50 nm)/LiF(5 nm)/Al(165 nm) ساخته شدند. با مقايسه نمودار ولتاژ- جريان و ولتاژ روشن شدن اين چهار ديود، مشاهده شد كه در ديود تك لايه، ولتاژ روشن شدن ديود حدود 18 ولت بود كه با افزودن لايه‌هاي بعدي ولتاژ آستانۀ به 3 ولت رسيد.
چكيده لاتين :
In this article, single- to four-layered organic light emitting diodes (OLEDs) with an active layer of MEH-PPV were fabricated and their threshold voltages were decreased as possible. To fabricate the diodes, the spin coating was used for polymers and thermal evaporation in vacuum was used for small molecules and aluminum. At first, a single-layered diode of ITO/MEH:PPV/Al (165 nm) was fabricated. Then, to simplify the charge injection and investigation of the influence of the hole transport and buffer layers on the threshold layer, a hole injection layer of PEDOT:PSS and an electron transport layer of Alq3 were added. Finally, the buffer and injection layer of LiF was added. The two-layered diode of ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al (165 nm), three-layered diode of ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Alq3 (50 nm)/Al (165 nm), and four layered of ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Alq3 (50 nm)/LiF (5 nm)/Al (165 nm) were fabricated. The comparison of voltage-current diagram of these four diodes showed that the threshold voltage of single-layered diode which was 18 V at the first decreased to 3 V for four-layered diode.
