شماره ركورد كنفرانس
4124
عنوان مقاله
خواص ساختاري و الكتروني نانو ورقههاي بور نيتريد آلاييده با اتم فسفر
عنوان به زبان ديگر
Structural and electronic properties of BN nanosheet doped by P atome
پديدآورندگان
جندقيان زينب Jandaghiyanzeinab@gmail.com دانشكده علوم پايه-گروه فيزيك دانشگاه آزاد اسلامي واحد قم، خيابان 15 خرداد، قم؛ , كنجوري فرامرز Kanjouri@khu.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه خوارزمي، تهران؛ , اسماعيليان امير حسين amhosein@yahoo.com دانشكده علوم پايه-گروه فيزيك دانشگاه آزاد اسلامي واحد قم، خيابان 15 خرداد، قم؛
تعداد صفحه
4
كليدواژه
نانو ورقه بور نيترايد , چگالي حالتها , نظريه تابعي چگالي , ساختار نواري , No.31.15.Ar , 31.15.ae
سال انتشار
1395
عنوان كنفرانس
كنفرانس فيزيك ايران 1395
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين مقاله، با استفاده از محاسبات اصول اوليه مبتني بر نظريه تابعي چگالي، خواص ساختاري و الكتروني نانو ورقههاي هگزاگونالي بورنيتريد( h-BN )آلاييده با اتمهاي فسفربررسي شده است. محاسبات براي دو حالت مختلف جايگزيني اتمهاي فسفر با اتمهاي بور (PB ) و جايگزيني اتمهاي فسفر با اتمهاي نيتروژن( (PN صورت گرفته است. نتايج نشان ميدهد كه آلايش نانو ورقهي بور نيتريد با اتم فسفر موجب كاهش گاف انرژي از 7/4 الكترون ولت به 2/86 الكترون ولت (براي PB ) و 2/87 الكترون ولت (براي (PN ميشود.
چكيده لاتين
In this paper the structural and electronic properties of h-BN nanosheets doped with phosphorus(P) have been investigated using first principles calculations on the density functional theory. It has been considered the –doping of phosphorus atom inside h-BN sheet at two possible substitution sites: a boron site (PB ) and a nitrogen site (PN ).The results show that the band gap of h-BN sheet is reduced from ~4/70 eV to 2/86 eV (for PB) and 2/87 eV (for PN ), respectively
كشور
ايران
لينک به اين مدرک