شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
بررسي اثر زمان لايه نشاني بر خواص ساختاري، الكتريكي و اپتيكي لايه هاي نازك CuS خالص تهيه شده به روش حمام شيميايي
عنوان به زبان ديگر :
The effect of copper concentration on the structural, electrical and optical properties of CuS thin films prepared by chemical bath deposition technique.
پديدآورندگان :
خطيب زاده مرضيه marziekhatibzade@gmail.com دانشكده فيزيك، دانشگاه صنعتي شاهرود، شاهرود؛ , عشقي حسين h_eshghi@shahroodut.ac.ir دانشكده فيزيك، دانشگاه صنعتي شاهرود، شاهرود؛
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
لايه نازك , سولفيد مس , حمام شيميايي , Thin Film , CuS , Chemical Bath Deposition , 81
سال انتشار :
1395
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين مقاله، به بررسي خواص ساختاري، الكتريكي، ترموالكتريكي و اپتيكي لايه هاي نازك سولفيد مس كه به روش حمام شيميايي (CBD) بر روي زيرلايه شيشه در مدت زمان هاي مختلف لايه نشاني تهيه شده اند، پرداخته ايم. تصاوير FESEM نمونه ها نشانگر شكل گيري ساختار هاي نانومتري (كوچكتر از nm 100)، و مشخصه يابي ساختاري آنها حاصل از طيف نگاري XRD بيانگر تشكيل ساختار آمورف در لايه هاي رشد يافته است. بررسي خواص ترموالكتريكي نشان دهنده ي رسانندگي نوع p در اين نمونه هاست. همچنين بررسي خواص اپتيكي نشان مي دهد كه گاف نواري اپتيكي لايه ها در بازه 2/72 - 2/78 eV بوده و با افزايش زمان لايه نشاني افزايش پيدا كرده اند.
چكيده لاتين :
In this paper, we have investigated the structural, electrical, thermo-electrical and optical properties of copper sulphide (CuS) thin films prepared by chemical bath deposition (CBD) method on glass substrate in different time depositions. The FESEM images indicated the presence of nanostructures (less than 100 nm) in the layers; and the structural characterizations by XRD spectra showed the formation of amorphous structure in the grown samples. The thermo-electrical study revealed p-type conductivity in these samples. Also the optical properties revealed that the optical band gap of the layers is in the range of 2.72-2.78 eV, which is increased with increasing the deposition time.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت