بررسي پايداري و خواص الكتروني نانولوله هاي دو جداره بورون نيتريد آرمچير

Investigation of electronic properties and stability of double-walled armchair boron nitrid nanotubes

در اين مقاله خواص الكتروني و پايداري نانولوله هاي بورون نيتريد دوجداره (DWBNNTs) از نوع آرمچير (n-n)@(6-6) با (13-8=n) با استفاده از اصول مبتني بر نظريه تابع چگالي مورد برسي قرار گرفته است. محاسبات انرژي تشكيل و انرژي پيوندي اتمهاي هر يك از نانولوله ها وجود يك نانو لوله دو جداره با انرژي و فاصله درون جداري مطلوب به لحاظ پايداري را نشان مي دهد كه فاصله درون جداري آن در پايدارترين حالت حدودÅ 2/4 مي باشد.تمام نانولوله هاي مورد بررسي نيمرسانا هستند و گاف انرژي آنها از ساختارهاي تك جداره به ساختارهاي دو‌جداره در حال كاهش است كه اين مقدار براي پايدارترين ساختار حدودeV 34/4 است.

In this work, the electronic properties and stability of armchair double-walled boron nitrid nanotubes (DWBNNTs) (7-0)@(n-0) (with n=10-13) have been investigated by using ab initio density functional theory. By calculating the formation energy and binding energy of each nanotube atoms, have been indicated the best formation energy for nanotubes, to obtain most stabile double-walled nanotube whose ,in the most stable structure, interwall distance is about 4.2 Å. All studied BNNTs are semiconductors and their energy gap decreased from single to double-walled and in the most stable double-walled nanotube its value is about 4.34 eV.