بررسي تاثير زمان لايه‏ نشاني بر روي لايه‏ هاي نازك نانوساختار اكسيد مس (CuO) تهيه شده به روش رسوب‏ گذاري حمام شميايي

A study on the deposition time effect on nanostructured CuO thin films prepared by chemical bath deposition (CBD) method

لايه‏ هاي نازك نانوساختار اكسيد مس از محلول كلريد مس با روش رسوب‏ گذاري حمام شيميايي بر روي زيرلايه شيش ه‏اي در بازه‏ هاي زماني 10، 15 و min 20 لايه‏ نشاني شدند. نمونه‏ ها با استفاده از تصاوير FESEM ، طيف‏ هاي XRD وUV-Vis تحت بررسي قرار گرفتند. مشاهده شد كه نمونه‏ ها با ساختارهاي بسبلوري با جهت‏گيري ترجيحي (-111) و (111) رشد يافته‏ اند. طيف هاي اپتيكي نشان داد كه نمونه هاي مورد مطالعه در ناحيه مرئي داراي عبور نوري بسيار كوچك و نزديك به صفر دارند. تحليل داده هاي نوري نشان داد اين لايه ها داراي گاف نواري مستقيم در بازه 1.64-1.71 eV بوده و نمونه تهيه شده در مدت 10 دقيقه از كوچكترين گاف نواري برخوردار مي‏ باشد. همچنين نتايج بدست آمده از تغييرات گاف نواري در اين نمونه‏ها با وقوع پديده محدوديت كوانتومي هماهنگ است.

Cupric oxide (CuO) thin films were prepared by chemical bath deposition (CBD) on glass substrate from copper chloride solution in different depositions time of 10, 15 and 20 min. Samples were characterized by FESEM images, XRD and UV-Vis spectra. We found all samples are polycrystalline nanostructures mainly grown along (-111) and (111) directions. The optical spectra of the studied samples showed in visible region all layers have a very small transmission close to zero. The analysis of optical data showed these layers have direct band gap in the range of 1.64-1.71 eV and the layer in 10 min has the lowest band gap. The results also showed the band gap variations are compatible with the occurrence of quantum confined effect