شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
بررسي خواص ساختاري و اپتيكي لايه هاي نازك ZnTe سنتز شده به روش تبخير گرمايي
عنوان به زبان ديگر :
Study of ZnTe Thin Film Grown by Thermal evaporation
پديدآورندگان :
سهرابي ميترا nf.sohrabi.70@gmail.com دانشكده فيزيك ، دانشگاه صنعتي شاهرود , قاضي محمدابراهيم mghazi@shahrood.ac.ir دانشكده فيزيك ، دانشگاه صنعتي شاهرود , ايزدي فرد مرتضي mizadifard@yahoo.com دانشكده فيزيك ، دانشگاه صنعتي شاهرود
كليدواژه :
ZnTe , thin film , thermal evaporation , 68 , 81
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
در اين كار ابتدا لايه هاي نازك نيمرساناي ZnTe به ضخامت حدود nm64 با استفاده از روش تبخير حرارتي بر روي زيرلايه هاي شيشه اي رشد داده شدند.سپس نمونه ها در دماي c 260 تحت خلا (3-10تور) بازپخت شدند. خواص ساختاري و اپتيكي نمونه ها با استفاده از طيف‌نماي XRD و عبور و انعكاس بررسي شدند.نتايج اين بررسي نشان داد كه لايه هاي نازك چند‌بلوري ZnTe با ساختار شش گوشي به روش PVD تشكيل شدند و عمليات بازپخت در شرايط انتخاب شده ساختار چند‌بلوري را به آمورف تبديل مي‌كند.لايه هاي نازك چند‌بلوري ZnTe تشكيل شده داراي گاف نواري مستقيم eV2/24 بودند كه در محدوده گزارش شده براي لايه‌هاي نازك اين ساختار مي باشد.رفتار ضرايب شكست و خاموشي اين لايه‌ها در محدوده طول موجي nm1100-300 نيز محاسبه و بررسي شدند.
چكيده لاتين :
In this work, ZnTe semiconductor thin films with 64nm Thickness on glass substrate Were Growth by thermal evaporation.Then the samples annealed under vacuum at Temperature of 260 ° C . optical and electrical properties of the samples were investigated by XRD,transmition and reflectances measurments. The results showed that as-grown ZnTe samples have polycrystalline hexagonal structures and annealed ZnTe Thin Films are amorphous.Direct band gap of as grown ZnTe thin film were 2/24eV.Refractive and extinction coefficient of the as grown samples were also calculated and analyzed.
