شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
بررسي ساختاري لايه بافر كادميوم سولفيد تحت بازپخت در محيطهاي هوا و نيتروژن به منظور كاربرد در سلولهاي خورشيدي CIGS
عنوان به زبان ديگر :
Structural study of CdS buffer layer under annealing in the air and nitrogen ambiences for application in CIGS solar cells
پديدآورندگان :
مرادي مهرداد m.moradi@kashanu.ac.ir پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، كاشان , بشيري هرسيني اسما a.bashiri1990@gmail.com پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، كاشان , زاهدي فر مصطفي zhdfr@kashanu.ac.ir پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، كاشان , سعادت محسن mohsensaadat81@gmail.com پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، كاشان , اسمعيلي مهديه mahdiyeh.esmaili@gmail.com پژوهشكده علوم و فناوري نانو، دانشگاه كاشان، كاشان
كليدواژه :
بازپخت , حمام شيميايي , كادميوم سولفيد , حمام شيميايي , 81
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
كادميوم سولفيد يك تركيب نيمرسانا از گروههاي II-VI با گاف انرژي 4/2 الكترون ولت است، كه يكي از تركيبات مهم براي ساخت ابزارهاي فوتوالكتريكي از جمله ابزارهاي فوتوولتائيك، سنسورهاي فوتوني و موجبرهاي نوري است. در اين مقاله، لايه نازك كادميوم سولفيد به روش حمام شيميايي بر بسترهاي شيشهاي لايهنشاني شد و نمونهها به مدت 2 دقيقه در دماي 200 درجه در محيطهاي هوا و نيتروژن بطور جداگانه بازپخت شدند. نتايج حاصل از الگوهاي XRD نشان داد كه تحت هر دو نوع بازپخت، كادميوم سولفيد با ساختار هگزاگونال بدست آمد. با بازپخت در محيط نيتروژن قلههاي كادميوم سولفيد اندكي تيزتر شدند كه ميتواند به علت و افزايش تبلور و اندازه دانهها است. با استفاده از رابطه شرر، اندازه دانهها به ترتيب براي بازپخت در محيطهاي هوا و نيتروژن 24 و 29 نانومتر محاسبه شد. با انعقاد بيشتر دانههاي كادميوم سولفيد در محيط نيتروژن تعداد مرزدانهها در ساختار كاهش يافته و طيف عبور نيز افزايش ميزان عبور نور را نشان ميدهد. همچنين طيف جذب نيز گاف انرژي 32/2 و 36/2 الكترون ولت را به ترتيب براي بازپخت درهوا و نيتروژن نشان داد.
چكيده لاتين :
Cadmium sulfide is a II-VI compound semiconductor with energy band gap of 2.4 eV, which is one of the important materials for application in electro-optic devices such as photovoltaic devices, photon sensors and optical wave guides. In this work, CdS thin film was deposited on glass substrate using chemical bath deposition method and the produced samples were annealed for 2 min in temperature of 200°C individually in air and nitrogen atmospheres. The XRD pattern indicated that by both types of annealing, CdS films were obtained with hexagonal structure. With annealing in nitrogen ambience, peaks of CdS were little sharper which can be attributed to increased crystallinity and grain size. Using Scherrer equation, the grain size was determined for annealing in air and nitrogen to be 24 nm and 29 nm respectively. With coagulation of CdS grains in ambience nitrogen, the number grain boundaries in structure reduced and the transmission spectrum shows increase in cross light. Also, absorption spectrum resulted in band gap for annealing in air and nitrogen as 2.32 and 2.36 eV respectively.