شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
محاسبه خواص الكتروني و ساختاري تركيب Mn)Asو(Gaدر فاز مكعبي
عنوان به زبان ديگر :
The theoretical prediction of electronic properties and structural of (Ga,Mn)As in cubic phase
پديدآورندگان :
كيخا سعيدرضا saeedreza.keikha@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان،ايران؛ , شفيعي گل حيدر علي shafiei@phys.usb.ac.ir گروه فيزيك، دانشكده علوم، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان،ايران؛ , فاضل زاده مرتضي fazelzadeh.morteza@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان،ايران؛ , نورا مهدي nora@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان،ايران؛
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسيل، در چارچوب نظريه تابعي چگالي و با تقريب GGA در بسته نرم افزاري كوانتوم اسپرسو انجام شده است.ساختار نواري محاسبه شده براي GaAs يك گاف انرژي مستقيم در حدود eV0/56 در نقطه‌ي از ناحيه بريلوئن نشان مي دهد. همچنين براي فاز مكعبيMnAs در نقطه‌ي كمترين فاصله بين نوار رسانش و نوار ظرفيت در كانال اسپيني اكثريت MnAs وجود دارد كه مقدار آن eV0/39 بدست آمده است و بين اتم‌هاي Ga و As پيوند كووالانسي وجود دارد. از طرف ديگر نحوه توزيع الكترون ها در تركيب MnAs بيانگر پيوند يوني بين اتم هاي Mn و As مي‌باشد.
