تعيين خصوصيات الاستيكي، تنش و كرنش عمودي لايه غشايي نانوساختارهاي سيليكان متخلخل به وسيله پراش اشعه ايكس با دقت بالا

Determination of elastic properties, stress and perpendicular strain of membrane layer of porous silicon nanostructures by high resolution X-ray diffraction

در اين مقاله براي بررسي خواص الاستيكي لايه غشايي سيليكان متخلخل با تخلخل هاي متفاوت از دستگاه پراش اشعه ايكس با دقت بالا استفاده شد و در اين آزمايش ها مشاهده كرديم كه خواص الاستيكي لايه غشايي مانند مدول يانگ و ريشه پواسون با افزايش تخلخل كاهش مي يابد و كرنش عمودي به علت اختلاف زاويه اي بين لايه غشايي نانوساختارهاي سيليكان متخلخل با زيرلايه اش افزايش مي يابد ما در نمونه هايمان با افزايش تخلخل به علت انحناي ايجاد شده در زيرلايه سيليكان و عدم انطباق شبكه، روند افزايشي را براي انبساط شبكه اي در جهت عمود بر زير لايه مشاهده كرديم.

In this paper for studying properties elastic of porous silicon (PS) membrane layer with different porosity XRD with high resolution is used and in this experiment we showed that properties elastic membrane layer such as; Young modulus, Poissons ratio decreases with increasing porosity and perpendicular strain since angular difference between porous silicon membrane layer nanostructures with its substrate increases. We have observed in Our sample rate of increasing for lattice expansion in direction perpendicular to substrate with increasing porosity due to this curve of si substrate and lattice mismatch.