شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
ساخت آشكارساز تابش UV با استفاده از لايه هاي نازك Ga:ZnO
عنوان به زبان ديگر :
Fabrication of UV photodetector by using of Ga:ZnO thin films
پديدآورندگان :
هادوي محمد سعيد M.S.Hadavi@yahoo.com گروه فيزيك، دانشگاه سيستان و بلوچستان؛ , صفدري كشكولي ويدا vidasafdari15@gmail.com گروه فيزيك، دانشگاه سيستان و بلوچستان؛
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
با توجه به اهميت زياد آشكارسازهاي نوري uv، در زمينه هاي تجاري، صنعتي و نظامي مطالعه ي اين آشكارسازها از اهميت كاربردي فراواني برخوردار است. در اين پروژه آشكارساز نوري uv با پيكربندي MSM مبتني بر لايه هاي نازك Ga:ZnO (GZO)، با استفاده از روش اسپري پايروليزيز ساخته شده و اثر ميزان ناخالصي گاليوم بر خواص الكتريكي و اپتيكي مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج مربوط به XRD نشان ميدهد كه تمامي لايه هاي GZO تهيه شده داراي فاز ورتسايت بوده و جهت گيري ارجح آنها صفحه 002 ميباشد.افزايش درصد ناخالصي تا 3% باعث افزايش جريان الكتريكي، افزايش پاسخدهي، كاهش ناهمواري سطحي و كاهش مقاومت سطحي لايهها شده است.
