شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
بررسي رفتار دوقطبي در دو ساختار با همپوشاني/ غير همپوشاني گيت در ترانزيستور اثر ميدان تونلي (TFET)
عنوان به زبان ديگر :
Ambipolar behavior in both structure of the overlapped/underlapped gate TFETs
پديدآورندگان :
استيري سيده فاطمه atashwebcam@gmail.com گروه برق ،موسسه آموزش عالي ابن يمين ،سبزوار ؛ , حسيني سيدابراهيم e_hosseini_98@yahoo.com دانشكده فني مهندسي ، دانشگاه فردوسي ، مشهد؛
كليدواژه :
رفتار دوقطبي , با همپوشاني , غير همپوشاني گيت , TFET , 72 , 85
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
در اين مقاله تاثير، باهمپوشاني و غيرهمپوشاني گيت روي عملكرد ترانزيستور هاي اثر ميدان تونلي (TFET) دو گيتي (DG) بررسي مي شود . مشخصات ساختار هاي باهمپوشاني و غيرهمپوشاني گيت با استفاده از شبيه سازي ساختار مقايسه مي شود. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد كه با ساختار غيرهمپوشاني گيت جريان حالت خاموش 〖(I〗_Off) به طور قابل توجهي كاهش مي يابد و از رفتار دوقطبي(Ambipolar) جلوگيري مي شود.
چكيده لاتين :
This article investigates overlapped/ underlapped gates on the performances of double-gate (DG) tunneling field-effect transistors (TFETs). Devices characteristics of overlapped/underlapped gate structures are compared using extensive device simulations. Simulation results show that with the underlapped gate off-state current 〖(I〗_off) reduces significantly and ambipolar behavior is suppression.
