شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
محاسبه دقيق ساختار الكتروني مواد عايق و نيم‌رسانا شامل الكترون‌هاي همبسته قوي، بر مبناي نظريه تابعي چگالي
عنوان به زبان ديگر :
Accurate calculation of electronic structure of strongly correlated insulators and semiconductors in DFT
پديدآورندگان :
كريمي حسين hossein.karimi1@ph.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك، گروه شبيهسازي كوانتمي مواد؛ , هاشمي فر سيد جواد hashemifar@cc.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك، گروه شبيهسازي كوانتمي مواد؛ , اعلايي مجتبي m.alaei@cc.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك، گروه شبيهسازي كوانتمي مواد؛ , يزدان مهر محسن mohsen.yazdan66@gmail.com ايران، شاهينشهر، دانشگاه صنعتي مالك اشتر، گروه فيزيك؛
كليدواژه :
نظريه تابعي چگالي , گاف نواري , 71
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
محاسبه گاف نواري در نظريه تابعي چگالي، فرايندي چالشي و پردردسر است. در اين مقاله، با استفاده از تابعي هاي تبادلي-همبستگي هيبريدي جديد، خواص الكتروني و گاف نواري گروهي از مواد همبسته قوي شامل الكترون‌هاي d مورد بررسي و محاسبه قرار گرفته است. نتايج بدست آمده با نتايج تجربي موجود مقايسه شده است.
چكيده لاتين :
Density functional calculation of electronic band gap is an elaborate task. In this article, we employ modern hybrid exchange-correlation functionals for calculation of electronic structure and band gap of a group of correlated systems containing d electrons. the obtained results are compared with the available experimental data.
