تقويت كننده امپدانس انتقالي ICDF با فيدبك اضافي

سيستمهاي مخابرات نوري به خاطر وجود مزايايي ازجمله سرعت انتقال بالا و پهناي باند زياد، براي ارسال دادههايي با حجم زياد مورداستفاده ميباشند. يك سيستم مخابرات نوري از فرستنده، فيبر نوري و گيرنده تشكيلشده است. در اين مقاله ساختار يك تقويتكننده امپدانسي انتقالي گيرنده نوري براي يك سيستم مخابرات نوري با استفاده از ترانزيستور CMOS، با طول كانال 40 نانومتر طراحي و نتايج آن موردبحث و بررسي قرارگرفته است. براي طراحي مدار پيشنهادي ابتدا دو ساختار RGC و ICDF تقويتكننده امپدانسي در نظر گرفته شده است. در ساختار RGC براي اينكه پهناي باند را كنترل نماييم از تكنيك فيدبك منفي استفاده نموديم. تكنيك فيدبك منفي ميتواند علاوه بر كنترل پهناي باند مقاومت ورودي تقويت كننده را كاهش دهد. در ساختار ICDF در نظر گرفته شده ترانزيستور PMOS پوش پول مورد استفاده در مدار در ناحيه اهمي باياس شده است بنابراين در مدار پيشنهادي از نوع ICDF براي اينكه ترانزيستور مورد نظر در ناحيه اشباع باياس شود به ترمينال گيت آن ولتاژ DC اعمال شده كه با اين كار ترانزيستور مورد نظر به اشباع رفته و به كمك تكنيك كسكود بهره مدار افزايش يافته است. نتايج بررسيها نشان ميدهد كه بهره تقويتكننده امپدانسي پيشنهادي به ميزان 35.3dBΩ، پهناي باند 11.5GHz و توان مصرفي4.19mw ميباشد. شبيهسازيهاي مداري با استفاده از نرمافزار HSPICEصورت گرفته است.