بررسي وابستگي محوشدگي دزيمترهاي نيم رساناي اكسيد فلزي داراي كانال پي به باياس گيت و ضخامت اكسيدآن

Investigation of fading dependence of P Chanel metal oxide semiconductor dosimeters on gate bias and oxide thickness

در اين مقاله محوشدگي (ريكاوري ولتاژ آستانه) دزيمترهاي نيم رساناي اكسيد فلزي با كانال پي داراي ضخامتهاي اگسيد گيت مختلف تابش دهي شده تا 10 گري بعد از 30 روز در دماي اتاق بر حسب چگالي بارهاي مثبت به دام افتاده اكسيد گيت و چگالي دامهاي مياني بررسي شده است. نتايج بدست آمده نشان داده اند كه محوشدگي با افزايش قدرمطلق باياس گيت و همين طور با افزايش ضخامت اكسيد گيت كاهش مي يابد.

In this paper, fading (The threshold voltage recovery) of P channel metal oxide semiconductor dosimeters whit various gate oxide thickness that irradiated up 10 Gy, after 30 day at room temperature has been investigated perhaps of density of positive gate oxide trapped charges and interface traps. The obtained results have shown that fading decreases with the increase of the absolute value of gate voltage as well as with the increase of gate oxide thickness.