شماره ركورد كنفرانس :
4158
عنوان مقاله :
طراحي و شبيه¬سازي فين¬فت دوگيتي نانومتري مبتني بر تكنولوژ¬هاي Si، GaAs و InGaAs
پديدآورندگان :
زارع¬داويجاني محمداسماعيل mohammad_z_d@yahoo.com دانشجوي دكتري الكترونيك، گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي، گرمسار، ايران , عباسي عبدالله abbasi_iust@yahoo.com گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامي، گرمسار، ايران
كليدواژه :
فين¬فت دوگيتي , طول Underlap , جريان درين , فركانس قطع.
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس ملي تحقيقات بين رشته اي در مهندسي كامپيوتر، برق، مكانيك و مكاترونيك
چكيده فارسي :
در اين مقاله ساختار فين¬فت دوگيتي-دوماده¬اي با اتصال گيت شاتكي با underlap بررسي شده است. جريان درين، رسانايي متقابل، رسانايي خروجي، خازن گيت-سورس و فركانس قطع ترانزيستور براي كاربردهاي آنالوگ و فركانس بالا براي نيمه¬هادي¬هاي Si، GaAs و InGaAs بررسي شده است. بر اساس نتايج شبيه¬سازي با كاهش طول underlap جريان درين افزايش خواهد يافت. همينطور نتايج شبيه-سازي نشان مي¬دهد كه براي InGaAs بالاترين جريان درين، بالاترين رسانايي متقابل، بالاترين رسانايي خروجي و بالاترين فركانس قطع را در ولتاژ گيت كمتر از 6/0 ولت خواهيم داشت. بر اساس نتايج شبيه-سازي GaAs بالاترين ضريب توليد رسانايي متقابل را از خود نشان مي¬دهد.
