A5. شبيه‌سازي انتقال كوانتومي در نانو ترانزيستور دو گيتي شاتكي InP با استفاده از روش تابع گرين غير تعادلي

Simulation of Quantum Transport in Nanoscale Double Gate InP Schottky Transistor via Non-Equilibrium Greens Function Formalism

در اين مقاله مشخصه هاي الكتريكي نانو ترانزيستور دوگيتي شاتكي با ماده كانال InP به روش تابع گرين غير تعادلي مورد بررسي قرار گرفته است. ساختار نواري افزراه دوگيتي كه حركت حاملها در يك جهت محدود شده است، به كمك روش تنگ بست با پايهsp3d5s* و تشكيل هميلتونين دوبعدي به ازاي ضخامت‌هاي مختلف كانال محاسبه گرديده است. براي بررسي مشخصه‌هاي الكتريكي افزاره، جرم موثر وابسته به ضخامت كانال در جهت‌هاي مختلف از ساختار نواري استخراج گرديده است. با كاهش ضخامت كانال جرم موثر حاملها و سطح انرژي زيرنوارها افزايش مي‌يابد. با كاهش ضخامت كانال تا nm3، به دليل افزايش كنترل گيت بر كانال مشخصه الكتريكي افزاره بهبود پيدا مي‌كند. اين در حالي است كه به دليل افزايش ارتفاع سد شاتكي موثر در افزاره با ضخامت كانال nm1.6 جريان حالت روشن افزاره كاهش مي‌يابد.

In this paper, the electrical characteristics of nano scale double gate Schottky transistor with InP channel is investigated via non-equilibrium Greens function formalism. Bandstructure of double gate structure that the carrier transport is confined in one direction is implemented by sp3d5s* tight binding formalism and 2-dimensionl Hamiltonian is calculated for different channel thicknesses. Reduction of the channel thickness increases the carrier effective mass and the energy of subbands, as well. Reduction of the channel thickness up to 3nm increases the gate control over the channel and improves the electrical characteristics of the device. However, further reduction of the channel thickness to 1.6nm, increases the effective Schottky barrier height and degrades the device performance in terms of on-state current.