P52. بررسي اثر نقص استون-ولز و تهي جاي در ساختارنواري نانولوله هاي كربني

The investigation of the effect of Stone-Wales and vacancy defects on the Band structure of the carbon nanotubes

در اين مقاله ساختار نواري نانولوله هاي كربني آرمچير و زيگزاگ با دو نقص استون –ولز و تهي جاي با استفاده از نظريه ي تابعي چگالي مورد بررسي قرار گرفته است. ويژگي هاي الكتروني نانولوله هاي كربني در حضور اين نقص ها محاسبه شده است و نمودار ساختار نواري نشان مي دهد كه نقص استون-ولز در نانولوله هاي كربني رسانا باعث شيفت نقطه ي ديراك در فضاي بردار موج در انرژي فرمي مي شود و گاف نواري در نانولوله هاي كربني نيمه رسانا را اندكي كاهش مي دهد. در حاليكه، حضور تهي جاي در نانولوله هاي رسانا منجر به محو شدن نقاط ديراك در انرژي فرمي مي گردد. با افزايش غلظت تهي جاي در نانولوله ي نيمرسانا، گاف نواري به شدت كاهش مي يابد.

In this paper, Armchair and Zigzag carbon nanotubes with Stone-Wales (ST) and vacancy defects have been investigated theoretically by using density functional theory (DFT). The variation of electrical properties of the carbon nanotubes in the presence of the defects have been calculated and the band structures graphs show that Dirac point is shifted in the wave vector space for metal carbon nanotubes by ST defects. The energy band gap of semiconductor carbon nanotubes is decreased by ST. However, the presence of vacancies in the metal nanotubes leads to the disappearance of Dirac points in Fermi energy and vacancies decrease intensely the energy band gap of semiconductor nanotubes.