مروري بر ترانزيستور اثر ميداني تونلي براي كاربردهاي فوق كم مصرف

ترانزيستور تونلينگ اثر ميداني (TFET) ، به عنوان يك جايگزين براي CMOS معمولي به وسيله ي فعال كردن منبع تغذيه ولتاژ (VDD) با مصرف تواني فوق العاده كم، محاسبات كارآمد انرژي، در طي دامنه ي زير- حد آستانه ي (sub-threshold slope: SS) زير 0 mV/decadeاش به وجود آمد.آن نوع دستگاه، يك ساختار باياس معكوس گيت دار است كه معمولاً به آن «ترانزيستور اثر ميداني تونلي» (TFET) مي گويند. با پيشرفت فناوري و نياز به افزاره هاي با جريان نشتي كم براي كاربردهاي توان پايين، TFET مورد توجه قرار گرفته است. تاكنون كارهاي متعددي براي بهينه سازي مشخصات TFET صورت گرفته است. اين افزاره نسبت به MOSFET، جريان نشت استاتيك كمتري دارد و در مقابل SCEs مقاوم تر است.برجسته ترين ويژگي TFET ها ، ظرفيت توليد يك سوئينگ آستانه فرعي معكوس (SS) كمتر ازmV /decade60 حد گرمايي (در 300 كلوين) مربوط به MOSFETهاي حالت معكوس متداول مي باشد. SSشبه حرارتي، قابل حصول است، زيرا جريان درين در TFET ها بوسيله تزريق حامل از سورس به كانال توليد مي شود كه اين غالباً تحت شعاع تونل زني باند به باند مكانيك كوانتوم (BTBT) قرار مي گيرد نه شارش يا نفوذ مثل MOSFETها. در اين طرح ذكر شده در [1]، نتايج شبيه سازيsilvaco TCAD براي MOSFETمتداول و ترانزيستور اثر ميداني تونلي، را نشان داده شد. با استفاده از نتايج فهميده شد كه TFET براي كاربردهاي فوق كم مصرف مناسب است.