شماره ركورد كنفرانس :
4183
عنوان مقاله :
شبيه سازي ترانزيستور اثر ميداني گرافن نانو ريبوني با به كار بردن لايه نازك با دوپينگ كم بين كانال و اتصالات سورس و درين با روش گرين
پديدآورندگان :
مسعودي نسب مصطفي Mostafa.masoudinasab@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي ايران، واحد اراك، دپارتمان برق و الكترونيك، اراك , حري اشكان دانشگاه آزاد اسلامي ايران، واحد اراك، دپارتمان برق و الكترونيك، اراك
كليدواژه :
گرافن نانو ريبون , GNRFET , روش گرين , جريان روشنايي , تاخير زماني
عنوان كنفرانس :
اولين همايش ملي فناوري نانو
چكيده فارسي :
در اين مقاله به بررسي ترابرد كوانتومي در ترانزيستور گرافن نانو ريبوني اثر ميداني((GNRFET با استفاده از روش گرين مي پردازيم.در ساختار GNRFET ارائه شده از دو فلز گيت استفاده شده و سورس و درين به صورت يكسان دوپينگ شده و يك لايه نازك با دوپينگ كم بين كانال و هر كدام از اتصالات سورس و درين استفاده شده است. در ساختار ارائه شده جريان روشنايي و تاخير زماني را بررسي مي كنيم .
