شبيه سازي گيت or با استفاده از نانو ترانزيستورها درمنطق دومينو High Speed

منطق دومينو بطور گسترده در بسياري از كاربردها با كارايي بالا مورد استفاد قرار مي گيرد. به دليل آنكه تكنولوژي در حال كوچكتر شدن است، از يك طرف منبع ولتاژ جهت رسيدن به توان كم و از طرف ديگر ولتاژ آستانه براي رسيدن به كارايي بالا بايستي كاهش يابند. با توجه به اينكه امروزه تمركز اصلي در صنعت VLSIبر روي كاهش اتلاف توان و افزايش سرعت تراشه مي باشد، لذا دستيابي به اهداف فوق مستلزم بكارگيري ترانزيستورها در ابعاد نانو مي باشد. به منظور بررسي تاثير كاهش ابعاد ترانزيستورها بر روي گيتهاي منطقي، در اين مقاله با استفاده از نانو ترانزيستورها، يك گيت or كه در منطق دومينو High Speed طراحي ميشود را در چهار تكنولوژي 90، 65، 45 و 32 نانومتر و ولتاژ تغذيه 1 ولت، شبيه سازي و با يكديگر مقايسه كرده ايم. بهبود حدود 67% پارامتر PDP در هنگام استفاده از ترانزيستورهاي با ابعاد كوچكتر از نتايج شبيه سازي ميباشد .